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ESMT再建DRAM工廠,持續發力半導體行業

據相關人士消息,ESMT公司將再建設包括DRAM總部研發中心在內的DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片制造工廠,據悉,DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設,預計2021年建成投產。

 

DRAM分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫動態隨機存取存儲器,DRAM 只能將數據保持很短的時間,所以需要定時刷新。由于DRAM的特性決定,DRAM能存儲電荷的時間非常短暫,這樣它需要在電荷消失之前進行刷新,直到下次寫入數據或者計算機斷電才停止。每次讀寫操作都要刷新DRAM內的電荷,因此DRAM設計為有規律的讀取其內的內容。

 

在全球的DRAM芯片市場上,韓國三星和海力士,美國的鎂光、英特爾、閃迪,日本的東芝六家廠商,壟斷了全球九成的產量。其中僅三星、海力士、東芝三家,就占了八成的份額。DRAM芯片作為存儲芯片市場的主力,近年來,隨著存儲價格的走低,對整個市場影響很大,不管是上游制造商還是分銷商、客戶等,市場走低勢必影響投入,而ESMT公司本次的加大投入也預示著行業正在回暖,市場前景仍廣闊。

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